2026年10月14日(水)～10月16日(金)、東京科学大学 横浜キャンパスにおいて開催されたThe 16th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-16)において、M2 平野、松田准教授が研究発表をしました。遷移金属酸化物アモルファス薄膜への真空紫外エキシマ光照射による結晶構造とp型伝導特性制御に関する研究成果、およびワイドギャップ透明酸化物半導体の深紫外レーザーアニーリングによる固相エピタキシーと異原子価ドーパントの拡散による導電性制御の研究結果です。
STACは、東京科学大学 フロンティア材料研究所(MSL)、物質理工学院 無機材料分野、および物質・材料研究機構(NIMS)が主催する、主に無機材料科学・工学に関する国際会議です。本会議は、材料設計・工学に関する国際シンポジウムThe 6th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJI2MA-6)の特別セッションも併催されました。
Solid-phase crystallization of epitaxial tin oxide thin films and donor doping by excimer laser annealing Presentation
The 16th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-16), "Semiconductor", 3C09, Institute of Science Tokyo, Yokohama, Japan, 16-Oct-2026.
Conductivity enhancement of amorphous NiO thin films on flexible substrates by vacuum-ultraviolet light irradiation Presentation
The 16th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-16), "Semiconductor", 3C08, Institute of Science Tokyo, Yokohama, Japan, 16-Oct-2026.