2026年9月8日(火)~9月11日(金)、北海道大学 札幌キャンパスおよびオンラインのハイブリッド形式で開催された第87回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、M2 仲野が研究成果を発表しました。酸化物アモルファス薄膜の深紫外レーザー照射によるアニーリング効果を利用したワイドギャップ透明半導体のエピタキシャル固相結晶化と異原子価ドーピングによる導電性制御に関する研究結果です。
今学会でもは多くの研究者・技術者の方からと意見交換・議論をさせていただき、深紫外光プロセスによる酸化物結晶の構造・物性制御に関する知見を得ることができました。
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仲野由剛, 廣瀬岳, 金子智, 松田晃史
エキシマレーザーアニーリングによる導電性Nbドープ酸化スズ薄膜の固相エピタキシー Presentation
第87回 応用物理学会秋季学術講演会, "21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」", 10a-E301-3, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, 10-Sep-2026.
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