2022年11月10日(水)~11月11日(金)、東京工業大学 すずかけ台キャンパスにおいて開催された日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会にて、M2 甲斐、後藤が研究発表をしました。
本研究討論会は、日本セラミックス協会 電子材料部会が主催する、電子材料やデバイス、プロセスに関連した研究成果について講演、議論がなされる研究会です。
1.
甲斐稜也, 沼田拓実, 金子健太, 大賀友瑛, 金子智, 吉本護, 松田晃史
深紫外レーザーアニーリングによるポリマー基板上の酸化ガリウム薄膜の固相配向結晶化 Presentation
第42回電子材料研究討論会, 1B14, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, 10-Nov-2022.
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2.
後藤祐己, 河村和哉, 金子健太, 金子智, 吉本護, 松田晃史
La3Ni2O7エピタキシャル薄膜のアニールによる構造制御 Presentation
第42回電子材料研究討論会, 1B11, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, 10-Nov-2022.
@misc{nokey,
title = {La_{3}Ni_{2}O_{7}エピタキシャル薄膜のアニールによる構造制御},
author = {後藤祐己 and 河村和哉 and 金子健太 and 金子智 and 吉本護 and 松田晃史},
year = {2022},
date = {2022-11-10},
urldate = {2022-11-10},
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pubstate = {published},
tppubtype = {presentation}
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